次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価

著者

• 中島, 寛 ナカシマ, ヒロシ

書誌事項

次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価

研究代表者 中島寛

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成13年度-平成15年度）

[九州大学], 2004.3

タイトル別名

平成13年度-平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書 研究課題番号13450130

タイトル読み

ジセダイ LSIヨウ コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク ノ テイオン ケイセイ ト キノウ ヒョウカ

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA68418586
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [福岡]
• ページ数/冊数: 65p
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA30193701