極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築

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極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築

佐野伸行研究代表者

（科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成14-15年度）

佐野伸行, 2004.3

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極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築

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ゴク ビサイ ハンドウタイ ソシ ノ シキイチ デンアツ バラツキ カイセキ ノ タメノ リサン フジュンブツ モデル ノ コウチク

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研究課題番号: 14550315

研究代表者: 佐野伸行

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Details

  • NCID
    BA68541673
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [つくば]
  • Pages/Volumes
    iii, 122p
  • Size
    30cm
  • Parent Bibliography ID
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