選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究

書誌事項

選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究

澤木宣彦[ほか著]

[出版者不明], 2004.3

タイトル別名

平成13年度-平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(A)(2))研究成果報告書

タイトル読み

センタク セイチョウホウ ニヨル シリコン キバンジョウ エノ シュウセキケイ チッカブツ ハンドウタイ デバイス ノ サクセイ ニ カンスル ケンキュウ

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注記

課題番号:13305023

研究分担者: 山口雅史, 田中成泰, 本田善央

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA68560918
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpneng
  • 出版地
    [出版地不明]
  • ページ数/冊数
    199p
  • 大きさ
    30cm
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