低誘電率・高絶縁耐力プラズマ堆積CxFy膜を用いたSF[6]代替絶縁方式の開発

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低誘電率・高絶縁耐力プラズマ堆積CxFy膜を用いたSF[6]代替絶縁方式の開発

研究代表者 酒井洋輔

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成13年度〜平成15年度）

[北海道大学大学院工学研究科], 2004.3

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低誘電率・高絶縁耐力プラズマ堆積CxFy膜を用いたSF[6]代替絶縁方式の開発

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テイユウデンリツ コウゼツエン タイリョク プラズマ タイセキ CxFyマク オ モチイタ SF[6] ダイタイ ゼツエン ホウシキ ノ カイハツ

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[6]は下付き文字

課題番号: 13555077

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Details

  • NCID
    BA68642943
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    engjpn
  • Place of Publication
    [札幌]
  • Pages/Volumes
    1冊
  • Size
    30cm
  • Parent Bibliography ID
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