エピタキシャル成長界面での積層欠陥の形成・結晶破損・電子物性の第一原理的理論研究

著者

    • 中山, 隆史 ナカヤマ, タカシ

書誌事項

エピタキシャル成長界面での積層欠陥の形成・結晶破損・電子物性の第一原理的理論研究

研究代表者 中山隆史

(科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成13年度〜15年度)

[千葉大学], 2004.5

タイトル読み

エピタキシャル セイチョウ カイメン デノ セキソウ ケッカン ノ ケイセイ・ケッショウ ハソン・デンシ ブッセイ ノ ダイイチ ゲンリテキ リロン ケンキュウ

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注記

研究課題番号:13640319

参考文献: 各発表論文、口頭発表の最終頁

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA70665307
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    engjpn
  • 出版地
    [千葉]
  • ページ数/冊数
    152p
  • 大きさ
    30cm
  • 親書誌ID
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