書誌事項

光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用

塩嵜忠研究代表

[塩嵜忠], 1994.3

タイトル別名

平成5年度科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書 : 04452176

タイトル読み

ヒカリ レイキ CVDホウ ニヨル PZTケイ キョウユウデンタイ ハクマク ノ サクセイ ト メモリ デバイス エノ オウヨウ

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注記

京都大学工学部

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA73858238
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [京都]
  • ページ数/冊数
    66p
  • 大きさ
    30cm
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