光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用

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光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用

塩嵜忠研究代表

[塩嵜忠], 1994.3

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平成5年度科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書 : 04452176

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京都大学工学部

Details

  • NCID
    BA73858238
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [京都]
  • Pages/Volumes
    66p
  • Size
    30cm
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