光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用
著者
書誌事項
光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用
[塩嵜忠], 1994.3
- タイトル別名
-
平成5年度科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書 : 04452176
- タイトル読み
-
ヒカリ レイキ CVDホウ ニヨル PZTケイ キョウユウデンタイ ハクマク ノ サクセイ ト メモリ デバイス エノ オウヨウ
大学図書館所蔵 全1件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
この図書・雑誌をさがす
注記
京都大学工学部