メタルゲート/高誘電率金属酸化物ゲート絶縁膜スタック構造の真空一貫原子層成長

著者

    • 中島, 安理 ナカジマ, アンリ

書誌事項

メタルゲート/高誘電率金属酸化物ゲート絶縁膜スタック構造の真空一貫原子層成長

研究代表者 中島 安理

(科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成13〜15年度)

広島大学ナノデバイス・システム研究センター, 2005.3

タイトル読み

メタルゲート コウユウデンリツ キンゾク サンカブツ ゲート ゼツエンマク スタック コウゾウ ノ シンクウ イッカン ゲンシソウ セイチョウ

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注記

課題番号: 13450129

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA74511258
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpneng
  • 出版地
    東広島
  • ページ数/冊数
    1冊
  • 大きさ
    30cm
  • 親書誌ID
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