中性子照射法による高臨界電流密度を有する実用超伝導材料の試作

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中性子照射法による高臨界電流密度を有する実用超伝導材料の試作

研究代表者 寺井隆幸

寺井隆幸, 2002.3

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平成11年度〜平成13年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

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チュウセイシ ショウシャホウ ニ ヨル コウリンカイ デンリュウ ミツド オ ユウスル ジツヨウ チョウデンドウ ザイリョウ ノ シサク

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Note

平成11年度〜平成13年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

研究分担者: 山脇道夫 [ほか]

研究課題: 11558061

Details

  • NCID
    BA74679085
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    engjpn
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    1冊
  • Size
    30cm
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