中性子照射法による高臨界電流密度を有する実用超伝導材料の試作

Author(s)

• 寺井, 隆幸 テライ, タカユキ
• 山脇, 道夫 ヤマワキ, ミチオ

Bibliographic Information

中性子照射法による高臨界電流密度を有する実用超伝導材料の試作

研究代表者 寺井隆幸

寺井隆幸, 2002.3

Other Title

平成11年度〜平成13年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

Title Transcription

チュウセイシ ショウシャホウ ニ ヨル コウリンカイ デンリュウ ミツド オ ユウスル ジツヨウ チョウデンドウ ザイリョウ ノ シサク

Note

平成11年度〜平成13年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

研究分担者: 山脇道夫 [ほか]

研究課題: 11558061

• NCID: BA74679085
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: engjpn
• Place of Publication: [東京]
• Pages/Volumes: 1冊
• Size: 30cm