GaN系量子ドット構造中の分極電界の制御とレーザ特性の高性能化に関する理論解析

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GaN系量子ドット構造中の分極電界の制御とレーザ特性の高性能化に関する理論解析

研究代表者 斎藤敏夫

斎藤敏夫, 2004.4

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平成14年度〜平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(C)(2))研究成果報告書

Title Transcription

GaNケイ リョウシ ドット コウゾウチュウ ノ ブンキョク デンカイ ノ セイギョ ト レーザー トクセイ ノ コウセイノウカ ニカンスル リロン カイセキ

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Note

平成14年度〜平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(C)(2))研究成果報告書

研究課題番号: 14550003

研究分担者: 荒川泰彦

Details

  • NCID
    BA74734059
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    eng
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    1冊
  • Size
    30cm
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