立方晶窒化物半導体へテロ構造による光および電子デバイス

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立方晶窒化物半導体へテロ構造による光および電子デバイス

研究代表者 尾鍋研太郎

尾鍋研太郎, 2004.4

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平成12年度〜平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

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リッポウショウ チッカブツ ハンドウタイ ヘテロ コウゾウ ニ ヨル ヒカリ オヨビ デンシ デバイス

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Note

平成12年度〜平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

研究分担者: 呉軍 [ほか]

研究課題番号:

Details
  • NCID
    BA74758964
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    eng
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    123p
  • Size
    30cm
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