新規半導体レーザ用材料 : 希土類添加III-V族半導体の原子レベル制御成長と高品質化

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新規半導体レーザ用材料 : 希土類添加III-V族半導体の原子レベル制御成長と高品質化

研究代表者 藤原康文

[藤原康文], 2004.3

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平成13年度〜平成15年度科学研究費補助金基盤研究(B)(2)研究成果報告書

Title Transcription

シンキ ハンドウタイ レーザヨウ ザイリョウ : キドルイ テンカ 3 5ゾク ハンドウタイ ノ ゲンシ レベル セイギョ セイチョウ ト コウヒンシツカ

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Note

課題番号: 13555002

本研究に関する発表論文等(抜粋)あり

Details

  • NCID
    BA75616987
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [吹田]
  • Pages/Volumes
    22p
  • Size
    30cm
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