SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御

Author(s)

• 内藤, 正路 ナイトウ, マサミチ

Bibliographic Information

SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御

研究代表者 内藤正路

（科学研究費補助金(基盤研究(C)一般)研究成果報告書, 2001-2002年度）

[九州工業大学], 2003.3

Other Title

2001-2002年度科学研究費補助金(基盤研究(C)一般)研究成果報告書

Title Transcription

SiC ヒョウメンジョウ デノ カーボンナノチューブ セイセイ キコウ ノ カイメイ ト ヒョウメン ヘンセイ ニヨル セイセイ ノ セイギョ

Note

課題番号13650028

研究分担者:遠山尚武、生地文也

Details

• NCID: BA77154736
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpneng
• Place of Publication: [北九州]
• Pages/Volumes: 1冊
• Size: 30cm
• Parent Bibliography ID:
  • BA37753688