SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御
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書誌事項
SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御
（科学研究費補助金(基盤研究(C)一般)研究成果報告書, 2001-2002年度）
[九州工業大学], 2003.3
- タイトル別名
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2001-2002年度科学研究費補助金(基盤研究(C)一般)研究成果報告書
- タイトル読み
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SiC ヒョウメンジョウ デノ カーボンナノチューブ セイセイ キコウ ノ カイメイ ト ヒョウメン ヘンセイ ニヨル セイセイ ノ セイギョ
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注記
課題番号13650028
研究分担者:遠山尚武、生地文也
