不揮発性メモリの実現に向けた高誘電率キャパシタ材料の低温形成

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不揮発性メモリの実現に向けた高誘電率キャパシタ材料の低温形成

研究代表者光田好孝

[光田好孝], 2006.3

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平成13年度〜平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2)(展開))研究成果報告書

科学研究費補助金(基盤研究(B)(2)(展開))研究成果報告書

Title Transcription

フキハツセイ メモリ ノ ジツゲン ニ ムケタ コウユウデンリツ キャパシタ ザイリョウ ノ テイオン ケイセイ

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Note

課題番号: 13455194

研究分担者: 小田克郎

Details

  • NCID
    BA80902497
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    22枚
  • Size
    31cm
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