ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価

著者

• 板倉, 賢 イタクラ, マサル

書誌事項

ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価

研究代表者 板倉賢

（日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B), 平成16年度～18年度）

[九州大学], 2007.3

タイトル別名

平成16年度～18年度日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B)

タイトル読み

ハレクシス CBEDホウ オ モチイタ テツ シリサイド ハンドウタイ ハクマク ノ ケッショウセイ ヒョウカ

注記

課題番号: 16360315

• NII書誌ID(NCID): BA82165593
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [福岡]
• ページ数/冊数: 64p
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA7656837X