ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価

Author(s)

• 板倉, 賢 イタクラ, マサル

Bibliographic Information

ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価

研究代表者 板倉賢

（日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B), 平成16年度～18年度）

[九州大学], 2007.3

Other Title

平成16年度～18年度日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B)

Title Transcription

ハレクシス CBEDホウ オ モチイタ テツ シリサイド ハンドウタイ ハクマク ノ ケッショウセイ ヒョウカ

Note

課題番号: 16360315

• NCID: BA82165593
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpneng
• Place of Publication: [福岡]
• Pages/Volumes: 64p
• Size: 30cm
• Parent Bibliography ID:
  • BA7656837X