ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価
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ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価
(日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B), 平成16年度~18年度)
[九州大学], 2007.3
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平成16年度~18年度日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B)
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ハレクシス CBEDホウ オ モチイタ テツ シリサイド ハンドウタイ ハクマク ノ ケッショウセイ ヒョウカ
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課題番号: 16360315