多層pn接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究

書誌事項

多層pn接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究

木本恒暢研究代表

[木本恒暢], 2006.3

タイトル別名

平成16年度~平成17年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書 : (課題番号 16360153)

タイトル読み

タソウ pn セツゴウ ノ タジゲン クウボウカ オ リヨウ シタ キンゾク セッテンキュウ SiC パワー デバイス ノ キソ ケンキュウ

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注記

京都大学工学研究科

詳細情報
  • NII書誌ID(NCID)
    BA86578802
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [京都]
  • ページ数/冊数
    vii, ii, 139p
  • 大きさ
    30cm
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