新しい二重膜ゲートMISFETを用いたInP系超高速集積回路の基礎的研究

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新しい二重膜ゲートMISFETを用いたInP系超高速集積回路の基礎的研究

研究代表者 長谷川英機

（科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書, 昭和59年度）

[北海道大学工学部], 1985.3

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アタラシイ ニジュウ マク ゲート MISFET オモチイタ InP ケイ チョウコウソク シュウセキ カイロ ノ キソテキ ケンキュウ

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課題番号: 58460120

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Details

  • NCID
    BA88056309
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [札幌]
  • Pages/Volumes
    65p
  • Size
    26cm
  • Parent Bibliography ID
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