強磁性Baフェライト膜を用いた半導体-強磁性体ヘテロエピ構造の形成
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強磁性Baフェライト膜を用いた半導体-強磁性体ヘテロエピ構造の形成
(科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成8-9年度)
[五味学], 1998.3
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キョウジセイ Ba フェライトマク オ モチイタ ハンドウタイ キョウジセイタイ ヘテロエピ ノ サクセイ
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注記
研究課題番号:08650373