強磁性Baフェライト膜を用いた半導体-強磁性体ヘテロエピ構造の形成

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強磁性Baフェライト膜を用いた半導体-強磁性体ヘテロエピ構造の形成

研究代表者 五味学

（科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成8-9年度）

[五味学], 1998.3

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キョウジセイ Ba フェライトマク オ モチイタ ハンドウタイ キョウジセイタイ ヘテロエピ ノ サクセイ

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研究課題番号:08650373

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Details

  • NCID
    BA88365358
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [辰口町(石川県)]
  • Pages/Volumes
    1冊
  • Size
    30cm
  • Parent Bibliography ID
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