強磁性Baフェライト膜を用いた半導体-強磁性体ヘテロエピ構造の形成

書誌事項

強磁性Baフェライト膜を用いた半導体-強磁性体ヘテロエピ構造の形成

研究代表者 五味学

(科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成8-9年度)

[五味学], 1998.3

タイトル読み

キョウジセイ Ba フェライトマク オ モチイタ ハンドウタイ キョウジセイタイ ヘテロエピ ノ サクセイ

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注記

研究課題番号:08650373

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA88365358
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpneng
  • 出版地
    [辰口町(石川県)]
  • ページ数/冊数
    1冊
  • 大きさ
    30cm
  • 親書誌ID
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