パワーデバイス用SiC半導体材料の現状、課題と展望

Author(s)

• 松波, 弘之 マツナミ, ヒロユキ

Bibliographic Information

パワーデバイス用SiC半導体材料の現状、課題と展望

松波弘之[述]

（科学技術政策研究所講演録, 165）

文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター, 2005.9

Title Transcription

パワー デバイスヨウ SiC ハンドウタイ ザイリョウ ノ ゲンジョウ カダイ ト テンボウ

Note

会期・会場:2005年6月20日 科学技術政策研究所

Details

• NCID: BA91660877
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: [東京]
• Pages/Volumes: 85p
• Size: 30cm
• Classification:
  • NDC9 : 549.8
  • NDLC : ND371
• Subject Headings:
  • NDLSH : 半導体
• Parent Bibliography ID:
  • BA63778212