パワーデバイス用SiC半導体材料の現状、課題と展望

著者

• 松波, 弘之 マツナミ, ヒロユキ

書誌事項

パワーデバイス用SiC半導体材料の現状、課題と展望

松波弘之[述]

（科学技術政策研究所講演録, 165）

文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター, 2005.9

タイトル読み

パワー デバイスヨウ SiC ハンドウタイ ザイリョウ ノ ゲンジョウ カダイ ト テンボウ

注記

会期・会場:2005年6月20日 科学技術政策研究所

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA91660877
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: [東京]
• ページ数/冊数: 85p
• 大きさ: 30cm
• 分類:
  • NDC9 : 549.8
  • NDLC : ND371
• 件名:
  • NDLSH : 半導体
• 親書誌ID:
  • BA63778212