ひずみSi MOSトランジスタの物理モデル構築の研究

著者

    • 高木, 信一 タカギ, シンイチ

書誌事項

ひずみSi MOSトランジスタの物理モデル構築の研究

研究代表者 高木信一

高木信一, 2008.2

タイトル別名

平成16年度〜平成18年度科学研究費補助金(基盤研究(A))研究成果報告書

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(A))研究成果報告書

タイトル読み

ヒズミ Si MOS トランジスタ ノ ブツリ モデル コウチク ノ ケンキュウ

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注記

課題番号: 16206029

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB00683141
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    engjpn
  • 出版地
    [東京]
  • ページ数/冊数
    240p
  • 大きさ
    30cm
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