疑似混晶技術によるp型酸化亜鉛系半導体の作製

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疑似混晶技術によるp型酸化亜鉛系半導体の作製

研究代表者 藤田静雄

[藤田静雄], 2008.3

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平成17年度～平成18年度科学研究費補助金(基盤研究(B)) 成果報告書 : (課題番号 17360010)

Zinc oxide-based semiconductor quasi alloys exhibiting p-type conductivity

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ギジ コンショウ ギジュツ ニヨル pガタ サンカ アエンケイ ハンドウタイ ノ サクセイ

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京都大学国際融合創造センター

Details

  • NCID
    BB02374953
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [京都]
  • Pages/Volumes
    1冊
  • Size
    30cm
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