SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術

著者

• 春日, 務 カスガ, ツトム

書誌事項

SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術

春日務企画編集

技術情報協会, 2010.2

タイトル別名

SiCGaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱冷却技術

タイトル読み

SiC GaN パワー デバイス ノ セイゾウ プロセス ト ホウネツ レイキャク ギジュツ

注記

参考文献あり

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB0248868X
• ISBN:
  • 9784861043116
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 340p
• 大きさ: 27cm
• 分類:
  • NDC9 : 549.8
  • NDLC : ND371
• 件名:
  • NDLSH : 半導体
  • NDLSH : パワーエレクトロニクス