3次元MOSデバイスを用いた超高性能3次元集積回路に関する研究

著者

• 遠藤, 哲郎 エンドウ, テツオ

書誌事項

3次元MOSデバイスを用いた超高性能3次元集積回路に関する研究

遠藤哲郎研究代表者

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成10-11年度）

[遠藤哲郎], 2000.3

タイトル別名

平成10-11年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書(研究課題番号10555112)

タイトル読み

3ジゲン MOS デバイス オ モチイタ チョウ コウセイノウ 3ジゲン シュウセキ カイロ ニカンスル ケンキュウ

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB03584521
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [仙台]
• ページ数/冊数: 1冊
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA30193701