Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps

著者

• Theodore, L. Tewksbury

書誌事項

Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps

Tewksbury, Theodore L.

Massachusetts Institute of Technology, 1992

マイクロ形態（マイクロフィッシュ）

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB03898756
• 出版国コード: xx
• タイトル言語コード: eng
• 本文言語コード: eng
• 出版地: [Cambridge, Ma.]
• ページ数/冊数: 4 microfiche
• 大きさ: 11×15 cm