Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties
著者
書誌事項
Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties
(Engineering materials)
Springer, c2011
大学図書館所蔵 全4件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
注記
Includes bibliographical references and index
内容説明・目次
内容説明
This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
目次
Introduction.- The MOS Structure.- The MOS Oxide and Its Defects.- Review of Transport Mechanism in Thin Oxides of MOS Devices.- Experimental Techniques.- Theoretical Approaches of Mobile Ions Density Distribution Determination.- Theoretical Model of Mobile Ions Distribution and Ionic Current in the MOS Oxide.
「Nielsen BookData」 より