抵抗変化メモリの知的材料設計

Author(s)

• 笠井, 秀明 カサイ, ヒデアキ
• 岸, 浩史 キシ, ヒロフミ

Bibliographic Information

抵抗変化メモリの知的材料設計

笠井秀明, 岸浩史著

（大阪大学新世紀レクチャー, . 計算機マテリアルデザイン先端研究事例||ケイサンキ マテリアル デザイン センタン ケンキュウ ジレイ ; 2）

大阪大学出版会, 2012.9

Other Title

Computational materials design, case study II

Intelligent/directed materials design for resistance random access memory

CMD II

Title Transcription

テイコウ ヘンカ メモリ ノ チテキ ザイリョウ セッケイ

Note

参考文献あり

Details

• NCID: BB10165154
• ISBN:
  • 9784872592559
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 吹田
• Pages/Volumes: iv, 74p
• Size: 21cm
• Classification:
  • NDC9 : 548.232
• Subject Headings:
  • NDLSH : 半導体記憶装置
• Parent Bibliography ID:
  • BA61636068