抵抗変化メモリの知的材料設計

著者

• 笠井, 秀明 カサイ, ヒデアキ
• 岸, 浩史 キシ, ヒロフミ

書誌事項

抵抗変化メモリの知的材料設計

笠井秀明, 岸浩史著

（大阪大学新世紀レクチャー, . 計算機マテリアルデザイン先端研究事例||ケイサンキ マテリアル デザイン センタン ケンキュウ ジレイ ; 2）

大阪大学出版会, 2012.9

タイトル別名

Computational materials design, case study II

Intelligent/directed materials design for resistance random access memory

CMD II

タイトル読み

テイコウ ヘンカ メモリ ノ チテキ ザイリョウ セッケイ

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• 抵抗変化メモリの知的材料設計

  2012.9.

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注記

参考文献あり

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB10165154
• ISBN:
  • 9784872592559
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 吹田
• ページ数/冊数: iv, 74p
• 大きさ: 21cm
• 分類:
  • NDC9 : 548.232
• 件名:
  • NDLSH : 半導体記憶装置
• 親書誌ID:
  • BA61636068