高密度ナノドットメモリー構造の形成とメモリーデバイスの特性評価

著者

    • 内藤, 慎哉 ナイトウ, シンヤ

書誌事項

高密度ナノドットメモリー構造の形成とメモリーデバイスの特性評価

内藤慎哉 [著]

[出版者不明], [2004]

タイトル別名

Formation of dot memory structures with high number density nanocrystals and evaluation of electrical properties of memory devices

タイトル読み

コウミツド ナノ ドット メモリー コウゾウ ノ ケイセイ ト メモリー デバイス ノ トクセイ ヒョウカ

大学図書館所蔵 件 / 1

この図書・雑誌をさがす

注記

名古屋大学大学院工学研究科2004年度博士論文

学位の種類: 博士(工学)

学位授与年月日: 2005-03-25

報告番号: 甲第6665号

学位記番号: 工博第1926号

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB13560472
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [出版地不明]
  • ページ数/冊数
    152p
  • 大きさ
    30cm
ページトップへ