液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InAs量子ドットの作製と超広帯域赤外光源への応用
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液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InAs量子ドットの作製と超広帯域赤外光源への応用
[出版者不明], [2003]
- タイトル読み
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エキテキ ヘテロエピタキシー ニヨル InP キバンジョウ InAs リョウシ ドット ノ サクセイ ト チョウコウタイイキ セキガイ コウゲン エノ オウヨウ
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注記
名古屋大学大学院工学研究科2003年度博士論文
学位の種類: 博士(工学)
学位授与年月日: 2003-06-30
報告番号: 甲第5919号
学位記番号: 工博第1784号