液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InAs量子ドットの作製と超広帯域赤外光源への応用

著者

    • 大賀, 涼 オオガ, リョウ

書誌事項

液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InAs量子ドットの作製と超広帯域赤外光源への応用

大賀涼 [著]

[出版者不明], [2003]

タイトル読み

エキテキ ヘテロエピタキシー ニヨル InP キバンジョウ InAs リョウシ ドット ノ サクセイ ト チョウコウタイイキ セキガイ コウゲン エノ オウヨウ

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注記

名古屋大学大学院工学研究科2003年度博士論文

学位の種類: 博士(工学)

学位授与年月日: 2003-06-30

報告番号: 甲第5919号

学位記番号: 工博第1784号

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB13565308
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [出版地不明]
  • ページ数/冊数
    iii, 123p
  • 大きさ
    30cm
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