Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究

Author(s)

    • 本田, 善央 ホンダ, ヨシオ

Bibliographic Information

Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究

本田善央 [著]

[出版者不明], [2002]

Title Transcription

Si キバンジョウ エノ キソウ エピタキシャル セイチョウホウ ニ ヨル チッカブツ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ

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Note

名古屋大学2002年度博士論文

学位の種類: 博士(工学)

学位授与年月日: 2003-03-25

報告番号: 甲第5847号

学位記番号: 工博第1731号

Details

  • NCID
    BB13684952
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [出版地不明]
  • Pages/Volumes
    ii, 123p
  • Size
    30cm
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