Si(100)表面上ラジカル窒化膜の形成過程と電気的特性に関する研究

著者

    • 松下, 大介 マツシタ, ダイスケ

書誌事項

Si(100)表面上ラジカル窒化膜の形成過程と電気的特性に関する研究

松下大介 [著]

[出版者不明], [2001]

タイトル別名

Study on nitride film formation processes and electric properties on Si(100) by radical nitrogen

タイトル読み

Si(100)ヒョウメンジョウ ラジカル チッカマク ノ ケイセイ カテイ ト デンキテキ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ

大学図書館所蔵 件 / 1

この図書・雑誌をさがす

注記

名古屋大学大学院工学研究科2000年度博士論文

学位の種類: 博士(工学)

学位授与年月日: 2001-03-26

報告番号: 甲第5075号

学位記番号: 工博第1530号

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB13833928
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [出版地不明]
  • ページ数/冊数
    162p
  • 大きさ
    30cm
ページトップへ