Subsecond annealing of advanced materials : annealing by lasers, flash lamps and swift heavy ions
著者
書誌事項
Subsecond annealing of advanced materials : annealing by lasers, flash lamps and swift heavy ions
(Springer series in materials science, 192)
Springer, c2014
大学図書館所蔵 全1件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
注記
Includes bibliographical references and index
内容説明・目次
内容説明
The thermal processing of materials ranges from few fem to seconds by Swift Heavy Ion Implantation to about one second using advanced Rapid Thermal Annealing. This book offers after an historical excursus selected contributions on fundamental and applied aspects of thermal processing of classical elemental semiconductors and other advanced materials including nanostructures with novel optoelectronic, magnetic, and superconducting properties. Special emphasis is given on the diffusion and segregation of impurity atoms during thermal treatment. A broad range of examples describes the solid phase and/or liquid phase processing of elemental and compound semiconductors, dielectric composites and organic materials.
目次
The very early time.- Nanonet formation by constitutional supercooling of pulsed laser annealed, Mn-implanted germanium.- Metastable activation of dopants by solid phase epitaxial recrystallization.- Superconducting Ga-implanted Germanium.- Structural changes in SiGe/Si layers induced by fast crystallization.- Sub-nanosecond thermal spike-induced nanostructuring of thin solid films under swift heavy-ion (SHI) irradiation.- Pulsed-laser-induced epitaxial growth of silicon for three-dimensional integrated circuits.- Improvement of performance and cost of functional films using large area laser RTP.- Pulsed laser dopant activation for semiconductors and solar cells.- Formation of high-quality m-order-thick poly-Si films on glass substrates by flash lamp annealing.- Millisecond-range liquid-phase processing of silicon-based hetero-nanostructures.- Radiation thermometry - sources of uncertainty during contactless temperature measurement.- Millisecond annealing for semiconductor device applications.- Low-cost and large-area electronics, roll-to-roll processing and beyond.- Application of sub-second annealing for dilute ferromagnetic semiconductors.
「Nielsen BookData」 より