GaNパワーデバイスの技術展開

著者

• 江川, 孝志 エガワ, タカシ

書誌事項

GaNパワーデバイスの技術展開

[江川孝志ほか執筆]

サイエンス&テクノロジー, 2012.4

タイトル読み

GaN パワー デバイス ノ ギジュツ テンカイ

注記

文献あり

執筆者のヨミは推定

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB14735447
• ISBN:
  • 9784864280440
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 264p, 図版 [1] 枚
• 大きさ: 27cm
• 分類:
  • NDLC : ND371
  • NDC9 : 549.8
• 件名:
  • NDLSH : 半導体
  • NDLSH : パワーエレクトロニクス