SiCパワーデバイスの開発と最新動向 : 普及に向けたデバイスプロセスと実装技術

著者

• 岩室, 憲幸

書誌事項

SiCパワーデバイスの開発と最新動向 : 普及に向けたデバイスプロセスと実装技術

岩室憲幸 [ほか] 執筆

S&T出版, 2012.10

タイトル読み

SiC パワー デバイス ノ カイハツ ト サイシン ドウコウ : フキュウ ニ ムケタ デバイス プロセス ト ジッソウ ギジュツ

注記

文献あり

監修:岩室憲幸

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB14737384
• ISBN:
  • 9784907002060
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 361p, 図版1枚
• 大きさ: 27cm
• 分類:
  • NDLC : ND371
  • NDC9 : 549.8
• 件名:
  • NDLSH : 半導体
  • NDLSH : パワーエレクトロニクス