放射線によるMOSデバイスの特性劣化現象と耐放射線性強化CMOSデバイス技術の研究

著者

• 吉井, 一郎 ヨシイ, イチロウ

書誌事項

放射線によるMOSデバイスの特性劣化現象と耐放射線性強化CMOSデバイス技術の研究

吉井一郎 [著]

[出版者不明], [1995]

タイトル読み

ホウシャセン ニヨル MOS デバイス ノ トクセイ レッカ ゲンショウ ト タイホウシャセンセイ キョウカ CMOS デバイス ギジュツ ノ ケンキュウ

注記

名古屋大学大学院工学研究科1995年度博士論文

学位の種類: 博士(工学)

学位授与年月日: 1995-12-27

報告番号: 乙第4914号

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB14990003
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: [出版地不明]
• ページ数/冊数: iv, 166p
• 大きさ: 30cm