Siのエピタキシャル気相成長 : 付, その解析法の化合物半導体への応用

書誌事項

Siのエピタキシャル気相成長 : 付, その解析法の化合物半導体への応用

春日正伸 [著]

[出版者不明], [1971]

タイトル読み

Si ノ エピタキシャル キソウ セイチョウ : フ, ソノ カイセキホウ ノ カゴウブツ ハンドウタイ エノ オウヨウ

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注記

タイトルは表紙による

名古屋大学1970年度博士論文

学位の種類: 工学博士

学位授与年月日: 1971-03-08

報告番号: 甲第595号

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB15664934
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [出版地不明]
  • ページ数/冊数
    146p
  • 大きさ
    26cm
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