Microelectronic test pattern NBS-3 for evaluating the resistivity-dopant density relationship of silicon

著者

• Buehler, Martin G.

書誌事項

Microelectronic test pattern NBS-3 for evaluating the resistivity-dopant density relationship of silicon

Martin G. Buehler

（NBS special publication, 400-22 . Semiconductor measurement technology）

U.S. G.P.O., 1976

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• Microelectronic test pattern NBS-3 for evaluating the resistivity-dopant density relationship of silicon / Martin G. Buehler.

  1976

  HathiTrust

• Microelectronic test pattern NBS-3 for evaluating the resistivity-dopant density relationship of silicon / Martin G. Buehler. (400-22)

  1976

  HathiTrust

注記

Includes bibliographical references

• NII書誌ID(NCID): BB18575455
• LCCN: 76600032
• 出版国コード: us
• タイトル言語コード: eng
• 本文言語コード: eng
• 出版地: Washington
• ページ数/冊数: vi, 49 p.
• 大きさ: 26 cm
• 分類:
  • LCC : QC100
  • LCC : TK7871.85
  • DC : 602/.1 s
  • DC : 621.3815/2/028
• 件名:
  • LCSH : Semiconductors -- Testing
  • LCSH : Silicon -- Testing
  • LCSH : Microelectronics
• 親書誌ID:
  • BA0011083X