The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon

著者

• Li, Sheng S.

書誌事項

The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon

Sheng S. Li

（NBS special publication, 400-33 . Semiconductor measurement technology）

U.S. G.P.O., 1977

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• The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon / Sheng S. Li.

  1977

  HathiTrust

  

• The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon / Sheng S. Li. (400-33)

  1977

  HathiTrust

  

注記

Includes bibliographical references

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB18757485
• LCCN: 76608381
• 出版国コード: us
• タイトル言語コード: eng
• 本文言語コード: eng
• 出版地: Washington
• ページ数/冊数: vii, 28 p.
• 大きさ: 26 cm
• 分類:
  • LCC : QC100
  • LCC : QC611.8.S5
  • DC : 602/.1 s
  • DC : 546/.683
• 件名:
  • LCSH : Silicon -- Electric properties
  • LCSH : Semiconductor doping
  • LCSH : Electron mobility
  • LCSH : Electric resistance
• 親書誌ID:
  • BA0011083X