ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発

Bibliographic Information

ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発

水谷宇一郎, 佐藤洋一共著

内田老鶴圃, 2015.10

Other Title

ヒュームロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPWFourier理論による電子機能材料開発

Title Transcription

ヒューム・ロザリー デンシ ノウド ソク ノ ブツリガク : FLAPW-Fourier リロン ニヨル デンシ キノウ ザイリョウ カイハツ

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Note

参考文献: 各章末

総索引: p223-226

欧字先頭語索引: p227-231

Description and Table of Contents

Table of Contents

  • 第1章 ヒューム・ロザリー電子濃度則とは
  • 第2章 WIEN2kを用いたFLAPW‐Fourier解析法
  • 第3章 周期律表元素の電子構造とe/aの決定
  • 第4章 結合形態による金属間化合物の分類
  • 第5章 Al‐およびZn‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  • 第6章 ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  • 第7章 P‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  • 第8章 ヒューム・ロザリー電子濃度則と干渉条件
  • 第9章 ヒューム・ロザリー電子濃度則の材料開発への応用

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Details

  • NCID
    BB19652405
  • ISBN
    • 9784753621019
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    xi, 231p
  • Size
    21cm
  • Classification
  • Subject Headings
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