ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発
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ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発
内田老鶴圃, 2015.10
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ヒュームロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPWFourier理論による電子機能材料開発
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ヒューム・ロザリー デンシ ノウド ソク ノ ブツリガク : FLAPW-Fourier リロン ニヨル デンシ キノウ ザイリョウ カイハツ
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Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University未来材料研
563.6||Mi11916849
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Note
参考文献: 各章末
総索引: p223-226
欧字先頭語索引: p227-231
Description and Table of Contents
Table of Contents
- 第1章 ヒューム・ロザリー電子濃度則とは
- 第2章 WIEN2kを用いたFLAPW‐Fourier解析法
- 第3章 周期律表元素の電子構造とe/aの決定
- 第4章 結合形態による金属間化合物の分類
- 第5章 Al‐およびZn‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
- 第6章 ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
- 第7章 P‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
- 第8章 ヒューム・ロザリー電子濃度則と干渉条件
- 第9章 ヒューム・ロザリー電子濃度則の材料開発への応用
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