窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
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窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
（CMCテクニカルライブラリー, 567 . 新材料・新素材シリーズ||シンザイリョウ シンソザイ シリーズ）
シーエムシー出版, 2015.12
普及版
- Other Title
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Bulk single crystals of group III nitride substrates and lattice‐matched substrates for high performance nitride‐based devices
- Title Transcription
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チッカブツ キバン オヨビ コウシ セイゴウ キバン ノ セイチョウ ト デバイス トクセイ
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Note
2009年刊の普及版
文献: 各章末
Description and Table of Contents
Table of Contents
- 第１章 バルクＧａＮ単結晶の成長（窒化ガリウムのハイドライド気相成長；ＨＶＰＥ成長における低転位化技術 ほか）
- 第２章 非極性基板とその上の成長（ＨＶＰＥ法による無極性面ＧａＮ成長；半極性面を利用したＩｎＧａＮ系量子井戸構造の作製とその光学特性 ほか）
- 第３章 ＧａＮ以外の基板（昇華法によるＡｌＮ結晶成長；透明導電性基板としての酸化ガリウム単結晶 ほか）
- 第４章 ＬＥＤ応用（ＧａＮ基板ＬＥＤ；ＺｎＳｅ白色発光ＬＥＤ ほか）
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