PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発

著者

• 芳井, 熊安

書誌事項

PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発

研究代表者 芳井熊安

（科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書, ; 平成4年度）

大阪大学工学部, 1993.4

タイトル読み

PLE イソウ セイギョ エピタキシー ホウ ヲ モチイタ InGaAs ケイ ユガミ リョウシ イド レーザ ノ カイハツ

注記

[課題番号]: 03452258

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB23399679
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: [吹田]
• ページ数/冊数: 1 冊
• 大きさ: 30 cm
• 親書誌ID:
  • BN0345591X