PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発

Author(s)

• 芳井, 熊安

Bibliographic Information

PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発

研究代表者 芳井熊安

（科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書, ; 平成4年度）

大阪大学工学部, 1993.4

Title Transcription

PLE イソウ セイギョ エピタキシー ホウ ヲ モチイタ InGaAs ケイ ユガミ リョウシ イド レーザ ノ カイハツ

Note

[課題番号]: 03452258

• NCID: BB23399679
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: [吹田]
• Pages/Volumes: 1 冊
• Size: 30 cm
• Parent Bibliography ID:
  • BN0345591X