PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発
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PLE(位相制御エピタキシー)法を用いたInGaAs系歪み量子井戸レーザの開発
(科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書, ; 平成4年度)
大阪大学工学部, 1993.4
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PLE イソウ セイギョ エピタキシー ホウ ヲ モチイタ InGaAs ケイ ユガミ リョウシ イド レーザ ノ カイハツ
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[課題番号]: 03452258