レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究

著者

    • 陳, 訳 チン, ヤク Chen, Yi

書誌事項

レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究

陳訳著

(琉球大学大学院理工学研究科博士論文, 平成28年度)

琉球大学大学院理工学研究科, 2016.9

タイトル別名

Research on Junction formation using laser annealing for high performance Si power MOS FETs

タイトル読み

レーザーアニール ニ ヨル セツゴウ ケイセイ ト コウセイノウ パワー Si MOS FETs ニ カンルス ケンキュウ

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB24638720
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [西原町(沖縄県)]
  • ページ数/冊数
    ii, 78p
  • 大きさ
    30cm
  • 分類
  • 親書誌ID
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