レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究

Author(s)

    • 陳, 訳 チン, ヤク Chen, Yi

Bibliographic Information

レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究

陳訳著

（琉球大学大学院理工学研究科博士論文, 平成28年度）

琉球大学大学院理工学研究科, 2016.9

Other Title

Research on Junction formation using laser annealing for high performance Si power MOS FETs

Title Transcription

レーザーアニール ニ ヨル セツゴウ ケイセイ ト コウセイノウ パワー Si MOS FETs ニ カンルス ケンキュウ

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生産エネルギー工学専攻

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Details

  • NCID
    BB24638720
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [西原町(沖縄県)]
  • Pages/Volumes
    ii, 78p
  • Size
    30cm
  • Classification
  • Parent Bibliography ID
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